5月27至30日，由IEEE和IEEE电路与系统协会共同主办的IEEE电路与系统国际会议（IEEE International Symposium on Circuits and Systems, ISCAS）在意大利佛罗伦萨举办。ISCAS是国际电路与系统领域的顶级会议，也是IEEE电路与系统协会的旗舰会议。IEEE电路与系统协会（IEEE Circuits and Systems Society, IEEE CASS）是国际上引领电路与系统在理论、分析、设计、工具、应用等方面研究的领导组织。今年恰逢ISCAS会议50岁生日，吸引到50多个国家和地区的学者参加。

中国科学院上海微系统所信息功能材料国家重点实验室雷宇博士参加了此次会议，并做口头报告（lecture）。论文和口头报告的主题是三维相变存储器的集成电路设计，报告题目：“Integrated Circuit Design of 3-D Cross Point Phase Change Memory: A Single-Reference Parasitic-Matching Sensing Circuit for 3-D Cross Point PCM”。上海微系统所是论文的第一单位，雷宇博士是论文的第一作者，报告属于Memory Circuits Session，该领域共32篇。

雷宇博士首先介绍了业界对高速高密度存储器的急迫需求以及三维存储器的研究现状；并根据三维相变存储器的器件性能和阵列特点进行了芯片设计，其提出的读出电路应用于40nm 64Mb 3-D cross point PCRAM芯片时，随机读取时间为39.67ns，比传统方法缩短了79%，误读取个数下降了97%。在报告的提问环节，与会人员积极提问交流，气氛热烈。

该论文是大会论文中唯一的三维新型存储器相关论文，也是唯一的三维存储器电路相关论文。该论文是6篇三维集成技术相关论文之一，表明上海微系统所正在引领半导体产业发展的技术研究中发挥重要作用。该论文也是本次会议不多的从电路原理和方法学角度增强存储器性能的论文，上海微系统所研究成果第一次登上ISCAS会议。

上海微系统所相变存储器课题组在宋志棠研究员的领导下，在相变存储器的关键科学技术问题研发和产业化应用取得了系列进展，并将持续关注三维集成技术在相变存储器上的应用。

报告视频链接：

大会：http://www.iscas2018.org/video/

论文：https://player.vimeo.com/video/272605360

http://player.youku.com/player.php/sid/XMzY1NDQyOTI4OA==/v.swf