微纳技术及微纳机电系统(下)

第一作者:	鲍海飞;
摘要:	<正>3.2微纳机电系统(1)压力传感器与加速度传感器几乎在集成电路起步发展的同时,在1950年,巴丁(John Bardeen)和肖克利(W.Shockley)预言了单晶半导体在外力作用下形变,并会有相当大的电导变化。1954年,来自美国凯斯西储大学(Case Western Reserve University)的史密斯(C.S.Smith)到贝尔实验室进行访问工作,报道了"掺杂硅和锗中,在剪切应力作用下具有相当大的压阻剪切系数",由此,标志着在微尺度上硅的传感性能研究的开始,
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页码:	41-52
期:	6
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发表年度:	2013
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刊物名称:	现代物理知识
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