选择性腐蚀Si_(1-x)Ge_x与Si制备绝缘体上超薄应变硅

第一作者:	母志强;薛忠营;陈达;狄增峰;张苗;
摘要:	基于应变硅以及绝缘体上超薄应变硅(SSOI)工艺,使用氢氟酸、硝酸和醋酸的混合溶液与质量分数为25%的四甲基氢氧化铵(TMAH)溶液选择性腐蚀Si1-xGex与Si以制备绝缘体上超薄应变硅。研究了质量分数为0.5%～5%的HF和Si1-xGex中Ge的含量对选择性腐蚀的腐蚀速度与选择比的影响,优化了选择性腐蚀工艺。采用氨水、过氧化氢和水的混合溶液处理选择性腐蚀后的Si1-xGex与Si表面,得到了高应变度、高晶体质量的超薄SSOI。采用原子力显微镜(AFM)测试腐蚀速度以及腐蚀后的表面粗糙度;使用喇曼光谱仪表征Si1-xGex以及应变硅的组分以及应变度;使用透射电子显微镜(TEM)对SSOI的...
联系作者:
页码:	40-44
期:	1
学科:
外单位作者单位 :
发表年度:	2013
卷:
单位代码:
刊物名称:	半导体技术
全文链接:
论文全文:
第一作者所在部门:
论文出处:
论文类别:
参与作者:
其它备注: