衬底弯曲度对GaN基LED芯片性能的影响

第一作者:	杨德超;梁红伟;邱宇;宋世巍;申人升;柳阳;夏晓川;俞振南;杜国同;
摘要:	利用低压MOCVD系统在弯曲度值不同的蓝宝石衬底上生长了GaN基LED外延结构并制作芯片。测量了芯片的主要电学和光学参数,并分析了衬底弯曲度值对芯片性能的影响。分析结果表明:存在弯曲度的衬底预先弛豫了外延层中的部分应力,改善了外延层的质量,从而提高了LED芯片的性能。随着衬底弯曲度值的逐渐增加,下层GaN对有源层中InGaN材料的压应力作用不断减小,导致芯片的主波长逐渐发生蓝移。
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页码:	340-344
期:	3
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发表年度:	2013
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刊物名称:	发光学报
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