总剂量辐照效应对窄沟道SOI NMOSFET器件的影响

第一作者:	宁冰旭;胡志远;张正选;毕大炜;黄辉祥;戴若凡;张彦伟;邹世昌;
摘要:	本文深入研究了130nm Silicon-on-Insulator(SOI)技术下的窄沟道n型metal-oxide-semiconductor-field-effect-transistor(MOSFET)器件的总剂量辐照效应.在总剂量辐照下,相比于宽沟道器件,窄沟道器件的阈值电压漂移更为明显.论文利用电荷守恒定律很好地解释了辐照增强的窄沟道效应.另外,本文首次发现,对于工作在线性区的窄沟道器件,辐照产生的浅沟槽隔离氧化物(STI)陷阱正电荷会增加沟道区载流子之间的碰撞概率和沟道表面粗糙度散射,从而导致主沟道晶体管的载流子迁移率退化以及跨导降低.最后,对辐照增强的窄沟效应以及迁移率退化进行了...
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页码:	319-324
期:	7
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发表年度:	2013
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刊物名称:	物理学报
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